NGK株式会社（社長：小林茂、本社：名古屋市）のパワー半導体モジュール向けの窒化ケイ素製絶縁放熱回路基板が本日、令和8年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰の科学技術賞（開発部門）を受賞しました。
文部科学省による科学技術分野の文部科学大臣表彰は、科学技術に関する研究開発、理解増進などで顕著な成果を収めた個人やグループを表彰するものです。「科学技術賞（開発部門）」は、日本の社会経済、国民生活の発展向上などに寄与する画期的な研究開発もしくは発明で、既に利活用されているものに贈られます。
絶縁放熱回路基板は、モーターの駆動制御や発電機などの電力変換を行うパワー半導体搭載部品（パワー半導体モジュール）に使われる製品です。当社の絶縁放熱回路基板は、独自の接合技術により温度変化に対する高い信頼性と優れた放熱特性を実現していることから、技術的・社会的価値が高いと評価され、受賞に至りました。
窒化ケイ素製の絶縁放熱回路基板は、EVやハイブリッド車（HEV）のモーター制御用のインバーターなどに使われており、大電力による高温環境下でも安定した動作が要求される炭化ケイ素（SiC）製のパワー半導体への採用が増えています。当社の窒化ケイ素製絶縁放熱回路基板は、パワー半導体の性能を最大限に引き出す製品として、2019年から欧州・日本のパワー半導体メーカー数社で採用されています。
NGKグループは、2050年の未来を見据えた中長期ビジョン「NGKグループビジョン Road to 2050」で、カーボンニュートラル（CN）とデジタル社会（Digital Society：DS）分野への事業構成転換を掲げており、通過点である2030年に新事業で売上高1,000億円以上を目指す「New Value 1000」に取り組んでいます。当社は今後もCN・DS分野に注力し、独自のセラミック技術を通じて社会課題の解決に貢献していきます。
【受賞概要】
賞名：令和8年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 科学技術賞（開発部門）
主催者：文部科学省
受賞内容：パワー半導体デバイス用窒化ケイ素製絶縁放熱回路基板の開発
受賞者：NGK株式会社 清水秀樹、海老ケ瀬隆、賀來健、植谷政之、谷信
本件に関するお問合わせ先
コーポレートコミュニケーション部 MAIL: ngk-cc@ngk.co.jp TEL: 052-872-7980
関連リンク
プレスリリース
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